William B Shockley

Previzualizare referat:

Extras din referat:

William Shockley s-a nascut pe 13 februarie 1910 in Londra, Anglia. A fost fiul lui William Hillman Shockley un inginer miner nascut in Massachusetts si a sotiei sale Mary care se ocupa deasemenea cu mineritul, fiind o delegata in Nevada. In 1913 familia s-a reintors in S. U. A si William a fost educat in California luandu-si licenta in stiite la Institutul de Tehnologie din California in 1932. El a studiat la Institutul de Tehnologie din Massachusetts sub indrumarea profesorului J. C. Slater si a obtinut titlul de Doctor in fizica iar in 1936 s-a supus unei teze despre structura clorurei de sodiu. In acelasi an s-a alaturat laboratorului de telefoane Bell lucrand intr-un grup condus de Dr. C. J. Davisson, pana in1955. A renuntat la postul de director al departamentului de fizica pentru titlu de director laboratorului din California in cercetarea producerii si dezvoltarii noilor tranzistoare si semiconductoare. In timpului celui de-al doilea razboi mondial Willam a fost director de cercetari a organizatiei antisubmarine.

A avut doua burse de conferentiar: in 1946 la Universitatea Princeton si in 1954 la Insitutul de Tehnologie din California. Timp de un an (1954-1955) a fost director adjunct si director in cercetari la Weapons System Evaluation in Departamentul de aparare.

Cercetarile lui Shockley s-au concentrat asupra: studiului corpurilor solide; teoriei despre tuburile vide; experimentului si teorie despre fenomenul feromagnetic; experimentelor pe fotoelectroni din clorura de argint, variate teze in fizica tranzistoare si in cercetari operationale despre statistica scalara si productia individuala in laboratoarele de cercetari. Munca lui a fost rasplatita cu multa onoare. A primit: medalia de merit in 1946 pentru munca sa savarsita in cadrul Departamentului de razboi; premiul Morrris Leibmann in 1952 pentru colaborarea sa cu Institutul de radio. Un an mai tarziu a primit premiul Oliver E. Buckley iar in urmatorul an a castigat la Academia de stiinta premiul Cyrus B. Comstock. Cea mai mare realizare a sa a fost castigarea Premiului Nobel in 1956 impreuna cu doi colegi de la Laboratorul Bell: John Bardeensi Walter H Brattain. William B. Shockley a fost membru al Scientific Advisory Panel in armata americana inca din 1951 si a servit organizatia fortei aeriane inca din 1958. In 1962 a fost desemnat in functia de presedinte al comitetuluide consultatii stiintifice. A primit onorifice doctorate stiintifice de la Universitatea din Pennsylvania, Universitatea Rutgers si de la Colegiul Gustavus Adolphus.

Printre numeroase articole de stiinta si jurnale tehnice Shockley a scris Electronii si gaurile din semiconducta (1950). A luat peste 50 de privilegii.

Shockley a fost casatorit de doua ori si a avut trei copii cu Jean (nee Balley) de care a divortat casatorindu-se cu Emmy Laning.

William a decedat in 1989. ...

Download gratuit

Documentul este oferit gratuit,
trebuie doar să te autentifici in contul tău.

Alte informații:
Tipuri fișiere:
doc
Diacritice:
Nu
Nota:
9/10 (1 voturi)
Anul redactarii:
2007
Nr fișiere:
1 fisier
Pagini (total):
2 pagini
Imagini extrase:
3 imagini
Nr cuvinte:
445 cuvinte
Nr caractere:
2 579 caractere
Marime:
4.67 KB (arhivat)
Nivel studiu:
Gimnaziu
Tip document:
Referat
Materie:
Fizica
Data publicare:
26.12.2009
Structură de fișiere:
  • William B Shockley
    • Referat.doc
Predat:
la gimnaziu
Te-ar putea interesa și:
Tranzistorul bipolar contine trei parti din siliciu (germaniu) foarte purificat la care sunt...
Notiuni de baza Tranzistorii au fostconceputi la Laboratoarele Bell Telephone de fizicienii...
Ca urmare a uriaselor progrese facute in ultima perioada in descoperirea de noi dispozitive...
Teorema I a lui Kirchhoff: - Suma intensitatilor curentilor care ies dintr-un nod este egala cu...
Inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey in decembrie 1947 de John Bardeen, Walter...
Sus!