Tranzistor Cu Efect De Câmp

Tranzistorul cu efect de camp are mai multe caracteristici tehnice. Tranzistoarele cu efect de camp sunt de mai multe tipuri: 2. tranzistorul cu efect de camp cu poarta (grila) izolata (TEC-MOS), TEC-ul cu poarta izolata este cunoscut mai mult in varianta MOS (cu metal-oxid-semiconductor). TEC-MOS constituie unicul reprezentant al familiei TEC-MIS (tranzistorul cu efect de camp cu metal-izolator-semiconductor), 3. tranzistorul cu efect de camp MOS in regim de saracire (reprezinta regimuri de lucru ale tipului TEC-MOS), 4. tranzistorul cu efect de camp MOS in regim de imbogatire.

In afara de TEC-J si TEC-MOS (clasice, binecunoscute) mai sunt si tipurile: MESFET (tranzistorul cu efect de camp cu poarta realizata prin contact metal-semiconductor) si VMOS (tranzistorul cu efect de camp MOS cu canal vertical). - sursa este electrodul de unde pleaca sarcinile electrice (S), - drena este electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice (D), - poarta sau grila este electrodul care comanda comportarea dispozitivului (G). Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa (+ pe poarta si pe sursa pentru MOSFET cu canal n) se creeaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni. Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena.

Peste valoarea de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste. Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu + pe drena si pe sursa). ID = (UGS VP) UDS K (unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului). Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena.

Curentul are valoarea limita: ID = (UGS VP) 2 K/2. Intre poarta si drena se formeaza o jonctiune PN polarizata invers, deci impedanta de intrare la TEC-J va fi foarte mare (adica rezistenta unei diode polarizate invers). Regiunea de trecere este zona lipsita de purtatori de sarcina prin care curentul nu trece. Grosimea regiunii de trecere este dependenta de tensiunea de polarizare. Principiu de functionare: Curentul prin tranzistor, ID, circula printr-un canal. Rezistenta canalului depinde de sectiunea acestuia, iar sectiunea este controlata printr-un camp electric aplicat pe grila.

In figura de mai jos sunt trasate caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de camp si se vor determina parametrii unui tranzistor cu canal initial de tip n. Structura interna unui astfel de tranzistor ...