Electronică

2. Tema: Studierea tranzistorului bipolar in conexiune cu baza comuna si emitor comun

3. Scopul lucrarii: Ridicarea caracteristicilor de intrare si iesire a tranzistorului bipolar in conexiune cu baza comuna si emitor comun. Determinarea parametrilor h a tranzistorului bipolar.

4. Notiuni teoretice generale.

Tranzistorul bipolar prezinta un dispozitiv semiconductor cu doau jonctiuni electron-go(n-p), formate printr-o succesiune de regiuni p-n-p sau n-p-n . Acestea structuri dispun de proprietati de amplificare a semnalului electric.

Desi tranzistorul este un dispozitiv cu trei electrozi (borne) el poate fi privit in schemele practice ca un cuadripol activ la care intrarea si iesirea au o borna comuna. In functie de electrodul utilizat ca borna comuna tranzistorul se poate conecta ca in urmatoarele scheme:

Conexiunea BC:

Fig.1 Schema electrică pentru trasarea experimentală a caracteristicelor statice atranzistorului bipolar în conexiunea BC.

Conexiunea EC:

Fig.2 Schema electrică pentru trasarea experimentală a caracteristicelor statice atranzistorului bipolar în conexiunea EC.

Zona de mijloc a tranzistorului se numeste baza(B) si are urmatoarele caracteristici: este foarte ingusta (de ordinul micrometrilor sau chiar zecmilor de micrometri) si are dotarea cu impuritati mult mai mica decit a celor laterale. O zona extrerna cu cea mai mare concentratie de dopare ci impuritati se numeste emitor (E) cealalta zona extrema se numeste colector (C). Pe fiecare dintre aceste regiuni este realizat cite un contact ohmic, pe care se sudeaza conductoarele terminale.

5. Desfasurarea lucrarii:

1. Se face cunostinta vizual cu platforma lucrarii si cu aparatele de masurat.

2. Se asambleaza montajul schemei BC folosint cordonatele de legatura in conformitate cu schema de pe platforma (vezi fig.4). Sursa de alimentare electrica se conecteaza in ultimul rind numai cu permesiunea lectorului. Manetele de reglaj ale potentiometrelor R si R se vor instala in pozitia extrema din stinga.

3. Se masoara curentul de intrare al tranzistorului in dependenta de tensiunea respectiva IE=f(UEB).

- p/t cazul UCB=0. In circuitul de intrare conform schemei se conecteaza mA1,V1 si sursa de alimentatie electrica EE.

- p/t cazul UCB=-5V. Se scoate puntea de conexiune din circuitul colector-baza si se introduce in circuit in locul mA2. De la sursa stabilizata la jacurile de iesire ale circuitului si se mentine tensiunea -5V.

Formulele de calcul:

- rezistenta de intrare;

- coeficientul reactiei inverse de tensiune;

- coeficientul de amplificare a curentului;

- conductibilitatea de iesire.

6. Tabelul măsurărilor şi determinărilor:

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de intrare ale tranzistorului bipolar în conexiune BC

Universitatea Tehnica a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatică si Microelectronică

Automatică si Informatică